材料物理

1 (p1): 1 概论
4 (p2): 2 材料结构理论
4 (p2-1): 2.1 概述
5 (p2-2): 2.2 原子结合与结合键
5 (p2-2-1): 2.2.1 离子键
6 (p2-2-2): 2.2.2 共价键
6 (p2-2-3): 2.2.3 金属键
6 (p2-2-4): 2.2.4 极化键
9 (p2-3): 2.3 晶体结构与晶体学
14 (p2-4): 2.4 准晶、非晶和液晶
14 (p2-4-1): 2.4.1 准晶
15 (p2-4-2): 2.4.2 非晶
16 (p2-4-3): 2.4.3 液晶
16 (p2-5): 2.5 材料结构的实验研究
16 (p2-5-1): 2.5.1 X射线衍射
18 (p2-5-2): 2.5.2 电子衍射
19 (p2-5-3): 2.5.3 中子衍射
19 (p2-5-4): 2.5.4 场离子显微镜
20 (p2-5-5): 2.5.5 扫描隧道显微镜
22 (p3): 3 缺陷物理
22 (p3-1): 3.1 概述
24 (p3-2): 3.2 点缺陷
24 (p3-2-1): 3.2.1 点缺陷的主要类型
25 (p3-2-2): 3.2.2 热缺陷数目的统计理论
26 (p3-2-3): 3.2.3 点缺陷对物理性能的影响
27 (p3-3): 3.3 原子扩散理论
27 (p3-3-1): 3.3.1 扩散方程和扩散系数
29 (p3-3-2): 3.3.2 自扩散的微观机制
31 (p3-3-3): 3.3.3 杂质原子的扩散
32 (p3-4): 3.4 离子晶体的点缺陷及其导电性
32 (p3-4-1): 3.4.1 离子晶体中的点缺陷
33 (p3-4-2): 3.4.2 离子晶体的导电性
34 (p3-4-3): 3.4.3 色心
35 (p3-5): 3.5 位错
35 (p3-5-1): 3.5.1 位错的主要类型
36 (p3-5-2): 3.5.2 位错的滑移与晶体的范性形变
38 (p3-5-3): 3.5.3 位错能
39 (p3-5-4): 3.5.4 位错的其他性质和影响
41 (p3-6): 3.6 面缺陷
41 (p3-6-1): 3.6.1 小角晶界的位错模型
43 (p3-6-2): 3.6.2 孪晶界和堆垛层错
44 (p3-6-3): 3.6.3 晶界能
46 (p4): 4 材料强化
46 (p4-1): 4.1 概述
47 (p4-2): 4.2 力学试验与材料性能
47 (p4-2-1): 4.2.1 拉伸试验
49 (p4-2-2): 4.2.2 弯曲试验
50 (p4-2-3): 4.2.3 硬度试验
52 (p4-2-4): 4.2.4 冲击试验
53 (p4-2-5): 4.2.5 断裂韧性
54 (p4-2-6): 4.2.6 蠕变
55 (p4-2-7): 4.2.7 疲劳
57 (p4-3): 4.3 加工硬化
60 (p4-4): 4.4 固溶强化
61 (p4-5): 4.5 弥散强化
65 (p4-6): 4.6 固态相变强化
70 (p4-7): 4.7 复合强化
70 (p4-7-1): 4.7.1 颗粒增强复合材料
71 (p4-7-2): 4.7.2 纤维型复合材料
72 (p4-7-3): 4.7.3 层状增强复合材料
73 (p5): 5 导电物理
73 (p5-1): 5.1 概述
75 (p5-2): 5.2 材料的导电性能
75 (p5-2-1): 5.2.1 能带结构
79 (p5-2-2): 5.2.2 超导现象
81 (p5-2-3): 5.2.3 导电材料与电阻材料
81 (p5-2-4): 5.2.4 其他材料的导电性能
81 (p5-3): 5.3 半导体与p-n结
81 (p5-3-1): 5.3.1 本征半导体与非本征半导体
82 (p5-3-2): 5.3.2 n型半导体与p型半导体
84 (p5-3-3): 5.3.3 p-n结
86 (p5-4): 5.4 半导体的物理效应
86 (p5-4-1): 5.4.1 余辉效应
88 (p5-4-2): 5.4.2 发光二极管
89 (p5-4-3): 5.4.3 激光二极管
90 (p5-4-4): 5.4.4 光伏特效应
92 (p5-5): 5.5 半导体陶瓷的缺陷化学理论基础
92 (p5-5-1): 5.5.1 克鲁格维克符号系统
92 (p5-5-2): 5.5.2 准化学反应
93 (p5-5-3): 5.5.3 质量作用定律
95 (p5-5-4): 5.5.4 半导体陶瓷的能带结构
98 (p5-5-5): 5.5.5 BaTiO3半导瓷的缺陷化学研究
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